摘要：贬义指 态高傲。 high: 普通用词,指本身高出地面之上,与low相对,不用于人。也可指程度、地位、声音等的高,还可作引申用。 tall: 仅指人或物的高度,指物的“高”时,可与high换......贬义指 态高傲。 high: 普通用词,指本身高出地面之上,与low相对,不用于人。也可指程度、地位、声音等的高,还可作引申用。 tall: 仅指人或物的高度,指物的“高”时,可与high换
简单总结起来,low-k材料用于层间介质,减小电容,从而减小RC信号延迟,提高器件工作频率。high-k用于提到栅氧化层,提高栅氧厚度,抑制隧穿漏电流,还可用于DRAM存储器,提高存储电荷密度,
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jian dan zong jie qi lai , l o w - k cai liao yong yu ceng jian jie zhi , jian xiao dian rong , cong er jian xiao R C xin hao yan chi , ti gao qi jian gong zuo pin lv 。 h i g h - k yong yu ti dao zha yang hua ceng , ti gao zha yang hou du , yi zhi sui chuan lou dian liu , hai ke yong yu D R A M cun chu qi , ti gao cun chu dian he mi du , . . .
栅延时主要是由MOS管的栅极材料所决定,使用high-k材料可以有效地降低栅延时。传播延时也称为RC延时(RC delay),R是金属导线的电阻,C是内部电介质形成的电容。RC 延时的表达式为: TRC
● 什么是High-k/Low-K 电介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即介电常数 (permittivity),又称诱电率,用kappa或K表示。其中作为储电
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所谓high k,是相对于SiO2来说的,只要比SiO2介电常数3.9高的都成为high k。从表中我们可以看出,对于high k材料的介电常数的要求,理论上,为了使得C越大,介电常数越大越好,但电
high-k:高介电常数。 low-k:低介电常数。 Fabless:IC 设计公司,只设计不生产。 Fablite:轻晶片厂,有少量晶圆制造厂的IC公司。 IDM:集成器件制造商 (IDM-Integrated Device Manufact
此外，我们要知道High-K栅电介质技术，相比以往的氮氧化合物/多晶硅栅堆叠技术成本会有所增加，而Intel为了保持工艺技术上的领先，不惜高成本采用了High-K栅电介质
所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。两者都是高性能晶体管的理想属性
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